Сегодня компания STMicroelectronics представила новое семейство ультрабыстрых 600 В IGBT. Данные высокочастотные транзисторы выполнены по инновационной технологии PT Planar. Использование процесса двойного дрейфа позволило значительно уменьшить эффективное сопротивление канала и улучшить динамические характеристики транзисторов, что, в свою очередь, привело к повышению устойчивости и управляемости процессом, особенно при высоких температурах. далее »»»

Сегодня компания STMicroelectronics, ведущий европейский производитель полупроводников, объявила о выпуске новых 1200-вольтовых IGBT-транзисторов STGW30N120KD и STGW40N120KD - на 30 A и 40А соответственно. Изделия предназначены для использования в устройствах и системах ежедневного применения, в промышленности и в быту, мотор-драйверах, а также в устройствах с повышенными экологическими требованиями. далее »»»

Компания International Rectifier, мировой лидер в технологиях управления питанием, представил силовые MOSFET на 150 В и 200 В серии HEXFET® с ультранизким зарядом затвора (Qg). Данные транзисторы предназначены для промышленного применения в импульсных блоках питания, источниках бесперебойного питания (ИБП), инверторах различного назначения, ВЧ-преобразователях и электроприводах. далее »»»

В июне компания Infineon Technologies AG представила первый промышленный шестиэлементный IGBT-модуль со встроенными элементами защиты из нового семейства MIPAQ. далее »»»