Категория: ‘STMicroelectronics’

STMicroelectronics расширяет семейство STM32 микроконтроллерами с памятью до 1 Мбайт

Вторник, Март 2nd, 2010
st1

Компания STMicroelectronics расширила семейство микроконтроллеров STM32, выпустив новую группу устройств с объемом Flash-памяти до 1 МБайта. Разработчикам доступно теперь как минимум вдвое больше внутренней памяти микроконтроллера. далее »»»

Микросхема 10/100 Ethernet-трансивера от STMicroelectronics

Пятница, Февраль 19th, 2010
st1

Компания STMicroelectronics, один из мировых лидеров в производстве полупроводниковых компонентов, выпустила новую микросхему 10/100 Ethernet-трансивера физического уровня (PHY) ST802RT1A/B с питанием 3,3 В. далее »»»

Бесплатная среда разработки для STM32 на основе ядра Eclipse

Среда, Январь 27th, 2010
st1

STMicroelectronics анонсирует появление новой среды разработки для микроконтроллеров STM32 TrueSTUDIO® от компании Atollic. Данное ПО основано на ядре Eclipse с открытым исходным кодом. Базовую версию среды разработки можно скачать бесплатно на сайте производителя, и она не имеет ограничений по размеру компилированного кода или продолжительности использования. далее »»»

Новая микросхема от STMicroelectronics сориентирует на местности

Среда, Январь 13th, 2010
st1

Компания STMicroelectronics выпустила новую микросхему - LSM303DLH, геомагнитный модуль, осуществляющий измерения по трем проекциям величин линейного ускорения и магнитной индукции. Вывод результатов измерений этих шести величин и конфигурирование датчика осуществляются через цифровой интерфейс I²C. далее »»»

Новые диоды для аэрокосмической отрасли от ST Microelectronics

Понедельник, Декабрь 28th, 2009
st1

Компания STMicroelectronics, один из ведущих в мире производителей электронных компонентов, приступила к выпуску новых биполярных диодов, предназначенных для применения в аэрокосмической отрасли, а также в других областях, имеющих жёсткие требования к радиационной стойкости и рабочей температуре. далее »»»

Новая среда разработки для микроконтроллеров STM32 от STMicroelectronics

Пятница, Декабрь 11th, 2009
st1

Компания STMicroelectronics, один из ведущих в мире производителей микроконтроллеров, анонсировала сверхбюджетный инструментарий разработчика для семейства ARM Cortex-M3 микроконтроллеров STM32. Среда разработки состоит из программного обеспечение Atollic TrueSTUDIO®/STM32, которое может быть загружено бесплатно и не имеет ограничений по размеру кода и времени пользования, а также аппаратного внутрисхемного отладчика ST-LINK, который подключается к ПК через USB. далее »»»

Высокоточные LED-драйверы от STMicroelectronics

Вторник, Декабрь 1st, 2009
st1

Компания STMicroelectronics выпустила новую серию высокоточных драйверов светодиодов с функцией автоматического энергосбережения. Предполагается, что эти точные устройства будут использованы в таких приложениях как дорожные знаки, реклама, табло стадионов, другие информационные панели с батарейным питанием или питанием от солнечного света, обеспечивая большее разрешение при обеспечении постоянной яркости по всей видимой области экрана. далее »»»

Отладочный набор STM8S-Discovery от STMicroelectronics

Среда, Ноябрь 25th, 2009

st1

Компания STMicroelectronics предлагает новый набор STM8S-Discovery, который на данный момент является самым дешевым и быстрым путем изучения возможностей микроконтроллеров STM8S. Плата может быть использована для построения, программирования и отладки встраиваемых 8-разрядных приложений. далее »»»

Новые MEMS-датчики в диапазоне средних ускорений от STMicroelectronics

Понедельник, Ноябрь 9th, 2009

st1

Компания STMicroelectronics представила трехосевой датчик ускорений с цифровым выходом, способный детектировать ускорения до 24g. LIS331HH представляет из себя комбинацию многомасштабного измерения ускорений более 10g, низкого энергопотребления и миниатюрности. далее »»»

Новые ультрабыстрые и мощные IGBT от STMicroelectronics

Четверг, Октябрь 22nd, 2009
st1

Сегодня компания STMicroelectronics представила новое семейство ультрабыстрых 600 В IGBT. Данные высокочастотные транзисторы выполнены по инновационной технологии PT Planar. Использование процесса двойного дрейфа позволило значительно уменьшить эффективное сопротивление канала и улучшить динамические характеристики транзисторов, что, в свою очередь, привело к повышению устойчивости и управляемости процессом, особенно при высоких температурах. далее »»»