Задать вопрос

Ваше имя (обязательно)

Ваш e-mail (обязательно)

Ваш вопрос (обязательно)

Пройдите проверку*

0 позиций в запросе!   Отправить?

GaN-приборы для космических и высоконадёжных применений от Microsemi

Microsemi в партнёрстве с EPC (Effi cient Power Conversion Corporation) разрабатывает GaN-приборы для космических и высоконадёжных применений, как более продвинутую альтернативу используемым сегодня герметичным МОП-транзисторам.GaN-приборы для космических и высоконадёжных применений 2 GaN-приборы для космических и высоконадёжных применений 1

  • Кристалл Flip Chip
  • Очень миниатюрный размер
  • Высокий КПД
  • Награда «Продукт Года» журнала Electronics Products Magazine
PART NO. VOLTAGE CURRENT PEAK RDS(ON) (mΩ) Qg (nC) FOM-Qg * Rds(on) Запросить
MGN2915U4A 40 В 33 A 150 A 4 11.6 46.4
MGN2914U4A 40 В 10 A 40 A 16 3 48
MGN2905U4A 60 В 25 A 100 A 7 10 70
MGN2909U4A 60 В 6 A 25 A 30 2.4 72
MGN2901U4A 100 В 25 A 100 A 7 10.5 73.5
MGN2907U4A 100 В 6 A 25 A 30 2.7 81
MGN2911U4A 150 В 12 A 40 A 25 6.7 167.5
MGN2913U4A 150 В 3 A 12 A 100 1.7 170
MGN2910U4A 200 В 12 A 40 A 25 7.5 187.5
MGN2912U4A 200 В 3 A 12 A 100 1.9 190

GaN-приборы для космических и высоконадёжных применений 3

Основные преимущества:

  • Среднее Rds(on) ниже, чем у Si: 1.47 против 1.7
  • Управление логическим уровнем
    Управление затвором +5 В
    Vgsmax = 6.0 В
  • Малый размер кристалла — гораздо меньшие корпуса
    Больше плотность мощности при высокочастотном переключении
  • Радстойкие высоконадёжные продукты в разработке
    Испытания на ТЗЧ показывают очень хорошие результаты
    TID, ELDRS характеристики в процессе
    Особо низкая паразитная ёмкость в корпусе U4A
    Значительное снижение потерь на переключение
    Особо низкий подзатворный заряд