Задать вопрос

Ваше имя (обязательно)

Ваш e-mail (обязательно)

Ваш вопрос (обязательно)

Пройдите проверку*

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

0 позиций в запросе!   Отправить?

LDO TPS7H1101-SP Texas Instruments

LDO TPS7H1101-SPПараметры:

  • Iвых = 3 А
  • Uвых = 0.8–6.8 В
  • Uвх = 1.5–7 В
  • Точность Uвых. ±2%
  • Малое падение напряжения
    7 мВ при 1 А
    335 мВ при 3 А
  • Выходной шум:
    31 мкВ
  • Стойкость к радиации:
    накопленная радиация 100 крад (Si)
    воздействие ТЗЧ 85 МэВ•см²/мг