Задать вопрос

Ваше имя (обязательно)

Ваш e-mail (обязательно)

Ваш вопрос (обязательно)

Пройдите проверку*

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

0 позиций в запросе!   Отправить?

Мощные транзисторы Microsemi

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.


Области рынка Область применения Лучшие продукты Основное преимущество

Авионика

avionica

Передатчики системы идентификации «свой-чужой», дальномеры, Азимутально-дальномерная радиосистема ближней навигации (TACAN), система предупреждения столкновения самолётов в воздухе (TCAS), передача данных, транспондеры, системы навигации Биполярные: 1030-1090 МГц 1400 Вт

GaN: 1030-1090 МГц 750 Вт

GaN: 915-1260 МГц 600 Вт

Высокая импульсная мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд, может изготовляться под заказ потребителя

РЛС

rlc

РЛС управления воздушным движением, первичные обзорные РЛС L/S/C-диапазона, метеорологические РЛС, РЛС для получения изображений, РЛС с активной антенной решеткой (АФАР), радиолокационные станции сопровождения Биполярные: 1,2-1,4ГГц 370Вт

GaN: 1,2-1,4 ГГц 600 Вт

GaN: 2,7-3,1 ГГц 400 Вт

GaN: 3,1-3,5 ГГц 280 Вт

GaN: 5,3-5,9 ГГц 110 Вт

Высокая импульсная мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд, большие объемы производства, выпуск по спецификации заказчика.

Приборы для мощных импульсных систем во всей линейки продуктов (драйверы)

Индустриальное, научное и медицинское оборудование

equipment

Полупроводниковое капитальное оборудование, линейные ускорители, оборудование для сварки, сушки и нагрева, медицинское оборудование Биполярные: VHF/UHF/L и S-диапазон

GaN: UHF/L, S и C-диапазон

Длительная доступность биполярных транзисторов, поддержка узкоспециализированных применений, высокая мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд.

Связь

communication

Системы спутниковой связи, оборудование каналов передачи данных, сухопутные подвижные радиосистемы, вещание Биполярные: VHF/UHF/ L и S диапазон

GaN: UHF/L, S и C-диапазон

Длительная доступность биполярных транзисторов.

Для GaN — размеры, вес, мощность и кпд. Выпуск под требования заказчика и поддержка узкоспециализированных применений.

Оборона/космос

space

Первичные обзорные РЛС L/S/C-диапазона, РЛС с активной антенной решеткой (АФАР), передача телеметрии от ракет, станции РЭБ, РЛС для получения изображений, оборудование для защищенных каналов передачи данных, навигация и сопровождение Биполярный: 1030/1090 МГц 1200 Вт

GaN: 1,2-1,4 ГГц 600 Вт

GaN: 2,7-2,9 ГГц 500 Вт

GaN: 3,1-3,5 ГГц 280 Вт

GaN: 5,3-5,9 ГГц 110 Вт

Высокая надежность и отбор для специальных применений (оборона, космос, флот), размеры, вес, мощность и кпд.

Длительная доступность, выпуск под требования заказчика

 

Кремниевые биполярные транзисторы (Si BJT) — диапазоны рабочих частот

Семейство кремниевых биполярных транзисторов (Si BJT)

Область применения Авионика и передача данных Первичный радар UHF диапазона Первичный радар L-диапазона Первичный радар S-диапазона

2,7-2,9 ГГц

Первичный радар S-диапазона

2,7-3,1 ГГц

HF/ВHF/UHF, связь, индустриально, научное и медицинское оборудование Связь, линейные усилители СВЧ оборудование Радио- и телевещание Общего применения / малосигнальные
Диапазон L-диапазон UHF L-диапазон S-диапазон S-диапазон HF/VHF/UHF UHF/ L и S диапазон диапазона L и S диапазон VHF/UHF VHF/UHF/ L и S диапазон
Режим A и C C C S-диапазон S-диапазон A/AB/ C A и AB C A и AB A/B/ C
Рабочая частота 960-1215 МГц 400-960 МГц 1200-1400 МГц 2,7 -2,9 ГГц 2,7-3,1 ГГц 2-960 МГц 100-2300 МГц до 2470 МГц 225-960 МГц 100 -3000 МГц
Напряжение смещения 18-50 В 40-50 В 28-50 В 50 В 40-50 В 7,5-50 В 12,5-28 В 20-28 В 25 -28 В 6-28 В
Мощность 0.2 -1400 Вт 60-300 Вт 2-370 Вт 125-170 Вт 100-150 Вт 0,1-250 Вт 0.11-50 Вт 1-25 Вт 1-200 Вт до 1,75 Вт
Усиление 5,2-10,9 дБ 9-9,6 дБ 6,5-9,7 дБ 8,5 дБ 8-8,3 дБ 4,5-18 дБ 6,5-12 дБ 7-9,5 дБ 7,5-11 дБ до 17,5 дБ
Длительность импульса 1-32 мкс/ELM-режим/не ограничено 150-250 мкс 100-5000 мкс/не ограничено 100 мкс 50-200 мкс не ограничено не ограничено не ограничено не ограничено не ограничено
Коэффициент заполнения 1-40% 5-10% 10-20%/100% 10% 4-10% 100% 100% 100% 100% 100%
кпд 25-50% 40-50% 45-55% 50% 40-50% 50-70% до 50% 35-49% до 55% 50% тип.
  • Кремниевые биполярные транзисторы (SI BJT) — это самые мощные выходные приборы для диапазона частот до 3,1ГГц
  • Полный диапазон подходящих драйверов для выходных каскадов
  • Кремниевая биполярная технология традиционно надежна
  • Высокая надежность и специальный отбор для оборонной, морской и космической области применений
  • Лидируют на рынке коммерческой Авионики
  • Возможен подбор для замены морально устаревших компонентов
  • Возможность изготовления по спецификации заказчика
  • Индивидуальный подход к каждому клиенту в части цены
  • Долговременная доступность для приобретения и использования

 

GaN транзисторы — диапазоны рабочих частот

Семейство GaN на SiC HEMT продуктов

Область применения Общее применение SMT драйверы QFN серия Общее применение Драйверы на керамике

E-Серия

Авионика Первичный радар L-диапазона со средней длительностью импульса Первичный радар L-диапазон с большой длительностью импульса Индустриальное научное и медицинское оборудование Первичный радар S-диапазона Первичный радар S-диапазона Первичный радар S-диапазона Первичный радар C-диапазона
Диапазон VHF/UHF/ L и S диапазон VHF/UHF/ L и S диапазон L-диапазон L-диапазон L-диапазон S-диапазон S-диапазон S-диапазон S-диапазон C-диапазон
Рабочая частота до 3,5 ГГц до 3,5 ГГц 960-1215 МГц 1,2-1,4 ГГц 1,2-1,4 ГГц 2,4-2,5 ГГц 2,7-2,9 ГГц 2,7-3,1 ГГц 3,1-3,5 ГГц 3,9-4,2/5,3-5,9 ГГц
Рабочее напряжение смещения 50 В 50 В 50 и 54 В 50 В 50 В 50 В 50 В 50 В 50 В 50 В
Мощность 15 -125 Вт 10-90 Вт 300-1200 Вт 100-800 Вт 100-500 Вт 10-300 Вт 150-500 Вт 30-400 Вт 120-280 Вт 70-120 Вт
Усиление 10-18,5 дБ 12-18,4 дБ 17-19 дБ 16-17,5 дБ 16-17 дБ 11-15 дБ 14-16,2 дБ 13,4-16,5 дБ 14-17,8 дБ 11-15,2 дБ
Длительность импульса 1000 мкс и до не ограничено 200-3000 мкс 20-128 мкс и ELM-режим 150-300 мкс 200-4000 мкс не ограничено 100 мкс 200 мкс 200 мкс 200 мкс
Коэффициент заполнения 10% и до не ограничено 10-30% 2-10% 10% 20-30% 100% 10% 10% 10-20% 10%
кпд 50-70% 55-72% 55-75% 60-65% 52-65% 50-65% 64-69% 55-65% 58-65% 40-65%
Корпус QFN

4×4 и 5×5 мм

55QQP и 55QQ 55KR и 55Q03 55KR и 55Q03 55KR 55QQ, QFN 4×4 55QP, 55Q03 55QP, 55KR, 55Q03 55QP, 55KR,

55Q03

55QP, 55KR, 55Q03 55 QP

 

QFN  55QQP 55QQ  55QP  55KR  55Q03
QFN

4×4 мм и 5×5 мм

55QQP

60″ x 0,230″

Под фланец

55QQ

0,160″ x 0,550″

Под фланец

55QP

0,230″ х 0,800″

Под фланец

55KR

0,385″ x 1,010”

Под фланец

55Q03

0,385″ x 1,340″

Под фланец

  • GaN → высокое пробивное напряжение → работоспособен от Vdd до напряжения пробоя
  • GaN → работает на повышенных температурах перехода → высокая MTTF (средняя наработка на отказ)
  • GaN на SiC HEMT → Класс AB → широкий динамический диапазон Pout (выходная мощность) → превосходная линейность
  • GaN на SiC → наивысшая плотность мощности
  • GaN на SiC → наименьшая занимаемая площадь → уменьшает вес конечного оборудования
  • GaN на SiC → наивысшая мощность → лучший кпд