Задать вопрос

Ваше имя (обязательно)

Ваш e-mail (обязательно)

Ваш вопрос (обязательно)

Пройдите проверку*

0 позиций в запросе!   Отправить?

ЦАП DAC121S101QML-SP Texas Instruments 12 бит

DAC121S101QML-SP-shemeПараметры:

  • Uпит. — 2.7 В … 5.5 В
  • DNL ±0,25/-0,15 LSB
  • SPI вых интерфейс
  • Время установки 12.5 мкс
  • Мощность потребления:
    При 3.6 В — 0.52 мВт
    При 5.5 В — 1.19 мВт
  • Ждущий режим
    При 3.6 В — 0.014 мкВт
    При 5.5 В — 0.033 мкВт

Корпус:

  • 10-конт. SOIC
  • Стойкость к радиации:
    Накопленная доза …………………………………………………… 100 крад (Si)
    Воздействие ТЗЧ ……………………………………………… 120 МэВ•см²/мг